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西安齊岳生物科技有限公司

多巰丙基poss修飾CdTe和CdSeTe熒光量子點(diǎn)西安齊岳

時(shí)間:2022-3-22閱讀:148
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多巰丙基poss修飾CdTe和CdSeTe熒光量子點(diǎn)西安齊岳

通過水相法合成了一種多巰丙基poss(OctamercaptopropylPOSS,0M-POSS)修飾的CdTe量子點(diǎn),該量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率高可達(dá)95%,我們討論了量子點(diǎn)的合成參數(shù)如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等對(duì)量子點(diǎn)生長及發(fā)光性質(zhì)的影響,同時(shí)對(duì)OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性和穩(wěn)定性進(jìn)行了研究。

OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn)的制備與純化在可控合成NAC修飾的CdTe量子點(diǎn)的基礎(chǔ)上,我們制備OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn),其制備過程如下。

0061g的OM-POSS溶于20mL四氫呋喃(THF)中,攪拌10min后,逐滴加入NAC水溶液,其中NAC的量為1。2mmol,二者攪拌10min混合均勻后加入1mmol的CdCh2。5H2O室溫?cái)嚢?0min,得到含Cd2+的前驅(qū)體溶液,后續(xù)實(shí)驗(yàn)步驟與NAC修飾的CdTe相同,其中NAC/OM-POSS20:1。量子點(diǎn)純化過程中,先用THF除去未反應(yīng)*的OM-POSS,然后再用除掉其他的多余試劑及副產(chǎn)物。

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點(diǎn)的光譜表征

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OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)表征

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OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn)的透射電子顯微鏡(TEM)表征

我們利用透射電子顯微鏡(TEM)來評(píng)價(jià)POSS-CdTe量子點(diǎn)的尺寸和形貌,如圖2.11所示,熒光發(fā)射波長在554nm處的POSS-CdTe量子點(diǎn)星均勻分散的近球形,粒度分布比較均一,約為2。7nm。

OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn)的透射電子顯微鏡(TEM)表征

我們利用透射電子顯微鏡(TEM)來評(píng)價(jià)POSS-CdTe量子點(diǎn)的尺寸和形貌,如圖2.11所示,熒光發(fā)射波長在554nm處的POSS-CdTe量子點(diǎn)星均勻分散的近球形,粒度分布比較均一,約為2。7nm。

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小結(jié):我們制備了OM-POSS修飾的CdTe量子點(diǎn),并且通過IR,xPs,EDS等測(cè)試手段證明了OM-POSS對(duì)CdTe的成功修飾,通過XRD和TEM表征了POSS-CdTe量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和形貌。紫外可見吸收光譜和熒光發(fā)射光譜表明,經(jīng)過OM-POSS修飾后CdTe量子點(diǎn)的生長速度降低,這是因?yàn)槎鄮€基的OM-POSS與C8離子形成了更穩(wěn)定的絡(luò)合物所致。在紫外光和有氧環(huán)境中,POSS-CdTe量子點(diǎn)可以保持好的光穩(wěn)定性;而且POss-CdTe量子點(diǎn)在存放幾個(gè)月后,依然可以保持很高的熒光強(qiáng)度,具有很好的穩(wěn)定性。這是因?yàn)镹AC和OM-POSS兩種修飾劑可以與Cf在量子點(diǎn)表面形成一層Cd-SH絡(luò)合物,這一絡(luò)合物包覆在CdTe量子點(diǎn)表面,可以鈍化量子點(diǎn)表面,使得量子點(diǎn)保持的發(fā)光性能。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄:

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廠家:西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.18

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研,不能用于人體。


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